Новая статья по результатам совместной работы с зарубежными коллегами
29.06.2020
Новая статья в солидном журнале Journal of Physics D: Applied Physics.
Новая статья «Bipolar resistive switching with unidirectional selector function in nitride/oxide heterostructures» по результатам совместной работы StoLab с коллегами из Южной Кореи и США принята к опубликованию в солидном журнале Journal of Physics D: Applied Physics (импакт-фактор JCR 2.829). В рамках этой работы изготовлен и изучен ряд мемристивных устройств с оригинальными вариантами тонкопленочной структуры на основе комбинации пленок оксида гафния и нитрида кремния. Наиболее интересный результат получен для мемристивных устройств типа Ni/SiNx/HfO2/p++Si с эффектом самовыпрямления тока (нелинейной вольтамперной характеристикой). Как было показано, данное устройство облегчает решение проблемы токов утечки, возникающих в пассивном мемристивном массиве кросс-бар. Данное двухслойное устройство обеспечивает гораздо более высокий коэффициент выпрямления тока (> 104) в состоянии с низким сопротивлением для непрерывного и импульсного режимов по сравнению с двумя однослойными устройствами на основе SiNx и HfO2. Уменьшенный ток утечки для двухслойного устройства можно объяснить высоким барьером Шоттки в слое HfO2 при отрицательном смещении. Модифицированная схема считывания обеспечивает большое количество строк WORD (~ 3971) в структуре массива кросс-бар за счет высокой выпрямляющей способности двухслойного устройства. Разработанное двухслойное устройство с предложенной схемой считывания является хорошим кандидатом для использования в запоминающих устройствах с высокой плотностью и в нейроморфных приложениях.